Transistores y circuitos electr\u00f3nicos con nanotubos de carbono pueden configurarse para mantener sus propiedades el\u00e9ctricas y su memoria tras ser bombardeados por altas cantidades de radiaci\u00f3n.<\/p>\n
Es la conclusi\u00f3n de una investgaci\u00f3n publicada en ACS Nano por cient\u00edficos del MIT en busca de soluciones a los requisitos de misiones espaciales m\u00e1s largas y en destinos m\u00e1s lejanos, sometidas a un flujo continuo de radiaci\u00f3n c\u00f3smica perjudicial<\/p>\n
En la actualidad, la duraci\u00f3n y la distancia de las misiones al espacio profundo est\u00e1n limitadas por la eficiencia energ\u00e9tica y la robustez de la tecnolog\u00eda que las impulsa. Por ejemplo, las fuertes radiaciones del espacio pueden da\u00f1ar la electr\u00f3nica y provocar fallos en los datos, o incluso hacer que los ordenadores se aver\u00eden por completo.<\/p>\n
Una posibilidad es incluir nanotubos de carbono en componentes electr\u00f3nicos de uso generalizado, como los transistores de efecto de campo. Se espera que estos tubos de un \u00e1tomo de grosor hagan que los transistores sean m\u00e1s eficientes energ\u00e9ticamente en comparaci\u00f3n con las versiones m\u00e1s corrientes basadas en el silicio.<\/p>\n
En principio, el tama\u00f1o ultrapeque\u00f1o de los nanotubos tambi\u00e9n deber\u00eda ayudar a reducir los efectos que tendr\u00eda la radiaci\u00f3n al golpear los chips de memoria que contienen estos materiales. Sin embargo, la tolerancia a la radiaci\u00f3n de los transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono no ha sido ampliamente estudiada.<\/p>\n
Por eso, los investigadores del Instituto Tecnol\u00f3gico de Massachusetts (MIT), en Estados Unidos, Pritpal Kanhaiya, Max Shulaker y sus colegas quer\u00edan ver si pod\u00edan dise\u00f1ar este tipo de transistores de efecto de campo para que resistieran altos niveles de radiaci\u00f3n, y construir chips de memoria basados en estos transistores.<\/p>\n
Para ello, los investigadores depositaron nanotubos de carbono en una oblea de silicio como capa semiconductora de los transistores de efecto de campo. A continuaci\u00f3n, probaron diferentes configuraciones de transistores con varios niveles de blindaje, consistentes en finas capas de \u00f3xido de hafnio y metal de titanio y platino, alrededor de la capa semiconductora.<\/p>\n
El equipo descubri\u00f3 que la colocaci\u00f3n de escudos tanto por encima como por debajo de los nanotubos de carbono proteg\u00eda las propiedades el\u00e9ctricas del transistor contra la radiaci\u00f3n entrante hasta 10 Mrad, un nivel mucho m\u00e1s alto que el que pueden soportar la mayor\u00eda de los dispositivos electr\u00f3nicos basados en el silicio que toleran la radiaci\u00f3n.<\/p>\n
Cuando s\u00f3lo se colocaba un escudo debajo de los nanotubos de carbono, \u00e9stos quedaban protegidos hasta 2 Mrad, nivel comparable al de la electr\u00f3nica comercial basada en el silicio que tolera la radiaci\u00f3n. Por \u00faltimo, para lograr un equilibrio entre la sencillez de fabricaci\u00f3n y la resistencia a la radiaci\u00f3n, el equipo construy\u00f3 chips de memoria est\u00e1tica de acceso aleatorio (SRAM) con la versi\u00f3n de blindaje inferior de los transistores de efecto de campo.<\/p>\n
Al igual que los experimentos realizados con los transistores, estos chips de memoria ten\u00edan un umbral de radiaci\u00f3n de rayos X similar al de los dispositivos SRAM basados en silicio. Estos resultados indican que los transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono, especialmente los de doble blindaje, podr\u00edan ser una adici\u00f3n prometedora a la electr\u00f3nica de pr\u00f3xima generaci\u00f3n para la exploraci\u00f3n espacial, dicen los investigadores.<\/p>\n
Fuente: notimerica.com<\/strong><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Transistores y circuitos electr\u00f3nicos con nanotubos de carbono pueden configurarse para mantener sus propiedades el\u00e9ctricas y su memoria tras ser bombardeados por altas cantidades de radiaci\u00f3n.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":25175,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[170],"tags":[],"class_list":["post-25174","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nanotecnologia"],"yoast_head":"\n